- Каталог
- Комплектующие для ПК
- Накопители SSD
- Samsung
- Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus (MZ-V7S1T0BW)
Накопитель SSD 1Tb Samsung 970 EVO Plus (MZ-V7S1T0BW)
Коротко о товаре
- Назначение: внутренний
- Тип: SSD
- Форм-фактор: M.2
- Размер M.2: 2280
- Объём накопителя: 1000 Гб
- Интерфейс: PCI-E 3.0 x4
- Поддержка NVMe: да
- Скорость чтения: 3500 МБ/сек
- Скорость записи: 3300 МБ/сек
- Тип флэш-памяти: TLC
- Объём кэш памяти: 1024 Мб
Полные характеристики
12 050 ₽
В наличииОсновные
Производитель ........................................................................................................................................................................................................
Код производителя ........................................................................................................................................................................................................
MZ-V7S1T0BW
Внимание ........................................................................................................................................................................................................
В спецификациях Samsung указано "3bit MLC", т.е. 3bit multi-level cells - это и есть TLC, Triple-level cells с 3 битами информации на ячейку, а у MLC в ячейке памяти хранится 2 бита.
Назначение ........................................................................................................................................................................................................
внутренний
Тип ........................................................................................................................................................................................................
SSD
Форм-фактор ........................................................................................................................................................................................................
Размер M.2 ........................................................................................................................................................................................................
Интерфейс ........................................................................................................................................................................................................
PCI-E 3.0 x4
Поддержка NVMe ........................................................................................................................................................................................................
да
Объём накопителя ........................................................................................................................................................................................................
1000 Гб
Тип флэш-памяти ........................................................................................................................................................................................................
Контроллер ........................................................................................................................................................................................................
Samsung Phoenix
Объём кэш памяти ........................................................................................................................................................................................................
1024 Мб
Скорость чтения ........................................................................................................................................................................................................
3500 МБ/сек
Скорость записи ........................................................................................................................................................................................................
3300 МБ/сек
Дополнительно
Ресурс перезаписи (TBW) ........................................................................................................................................................................................................
600 ТБ
Время наработки на отказ ........................................................................................................................................................................................................
1500000 ч
Дополнительная информация ........................................................................................................................................................................................................
новая 96-слойная TLC 3D V-NAND пятого поколения - замена старой 64-слойной в линейке 970 EVO,
благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO
благодаря комбинации новейшей технологии V-NAND и оптимизаций микропрограммы, 970 EVO Plus обеспечивает производительность при случайной записи на 57% выше, чем 970 EVO
Гарантия ........................................................................................................................................................................................................
12 мес.
Сайт производителя ........................................................................................................................................................................................................
Альтернативное название: MZ-V7S1TOBW, 00000269123, Твердотельный накопитель Samsung 970 EVO Plus 1Tb [MZ-V7S1T0BW] M.2 2280, PCI-E gen3 x4, NVMe 1.3, 3D TLC, 3500/3300, DRAM 1Gb, Phoenix
Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.