Что с моим заказом?

Описание оперативной памяти 16Gb DDR4 2666MHz Hynix ECC Reg (HMA82GR7AFR8N-VK)

Хит продаж
Скидка на доставку или бесплатная доставка заказа с этим товаром!
Оперативная память 16Gb DDR4 2666MHz Hynix ECC Reg (HMA82GR7AFR8N-VK)
Оперативная память 16Gb DDR4 2666MHz Hynix ECC Reg (HMA82GR7AFR8N-VK)

ID: 755739

Коротко о товаре
  • Объём памяти: 16 Гб
  • Стандарт памяти: DDR4 DIMM
  • Пропускная способность: 21300 Мб/с
  • CAS Latency (CL): 19
  • Коррекция ошибок и буферизация: RDIMM
Полные характеристики
13 890 13 890 ₽
В наличии
Представляем вашему вниманию модуль оперативной памяти, который станет эталоном надёжности и производительности в вашей серверной системе или рабочей станции. Это решение, созданное для тех, кто ценит бесперебойную работу и максимальную стабильность вычислений в условиях интенсивных многозадачных нагрузок.

Данный модуль объёмом шестнадцать гигабайт соответствует современному стандарту DDR4, предлагая высокую скорость обмена данными и энергоэффективность. Благодаря тактовой частоте две тысячи шестьсот шестьдесят шесть мегагерц и впечатляющей пропускной способности двадцать одна тысяча триста мегабайт в секунду, вы получаете мощный инструмент для мгновенной обработки больших массивов информации. Это особенно важно для серверов баз данных, виртуализации, сложных инженерных расчётов и систем проектирования, где каждая миллисекунда имеет значение.

Ключевым преимуществом этой памяти является поддержка технологии коррекции ошибок и буферизации. Это означает, что модуль не просто хранит данные, а активно заботится об их целостности. Встроенный механизм исправления ошибок автоматически находит и немедленно исправляет случайные сбои, предотвращая накопление некорректной информации, что является залогом долговременной и безотказной работы системы. Буферизация же повышает стабильность работы в конфигурациях с большим количеством установленных модулей памяти, разгружая контроллер и обеспечивая чёткость сигнала.

Высокое качество сборки и продуманная архитектура проявляются в таких параметрах, как латентность, равная девятнадцати тактов, что указывает на оптимизированные временные задержки при доступе к данным. Двухранговая структура модуля эффективно увеличивает параллелизм операций чтения и записи, дополнительно повышая общую производительность подсистемы памяти. При всех этих выдающихся характеристиках модуль отличается низким энергопотреблением, работая от напряжения всего в одну целую две десятых вольта, что способствует снижению общего тепловыделения в корпусе и позволяет создавать более экономичные и холодные системы.

Этот модуль памяти — это не просто компонент, а инвестиция в стабильность и мощность вашей вычислительной инфраструктуры. Он предназначен для профессионалов, которые понимают, что истинная производительность складывается из скорости, бесперебойности и гарантированной сохранности каждой единицы информации. Установив данное решение, вы получаете тот фундамент, на котором можно уверенно строить самые требовательные и критически важные проекты.

Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.