- Каталог
- Серверное оборудование
- Серверная оперативная память
- Hynix
- Оперативная память 256Gb DDR4 3200MHz Hynix ECC LRDIMM (HMAT14JXSLB126N)
- Описание
Описание оперативной памяти 256Gb DDR4 3200MHz Hynix ECC LRDIMM (HMAT14JXSLB126N)
ID: 767976
Коротко о товаре
- Объём памяти: 256 Гб
- Стандарт памяти: DDR4 DIMM
- Пропускная способность: 25600 Мб/с
- CAS Latency (CL): 22
- Коррекция ошибок и буферизация: LRDIMM
Полные характеристики
185 220 ₽185 220 ₽
В наличииПредставляем модуль оперативной памяти, который переопределяет понятие производительности и надежности для самых требовательных вычислительных систем. Это решение создано для тех, кто работает с огромными массивами данных, сложными виртуальными средами и задачами искусственного интеллекта, где важна не просто скорость, а безупречная стабильность и колоссальный объем.
Данный модуль стандарта DDR4 DIMM предлагает беспрецедентную емкость в 256 гигабайт в одном корпусе. Это позволяет радикально упростить конфигурацию серверов и рабочих станций, достигая терабайтных объемов оперативной памяти при минимальном использовании слотов на материнской плате. Тактовая частота 3200 мегагерц обеспечивает высокоскоростной обмен данными, а результирующая пиковая пропускная способность на уровне 25600 мегабайт в секунду гарантирует, что даже самые ресурсоемкие приложения не столкнутся с задержками при обработке информации.
Ключевой особенностью данной памяти является применение передовой технологии LRDIMM, что означает буферизованные модули с пониженной нагрузкой. Это не только позволяет устанавливать больше модулей в систему без риска перегрузки контроллера памяти, но и реализует коррекцию ошибок на лету. Данная функция критически важна для обеспечения целостности данных в круглосуточно работающих дата-центрах, в системах финансовых расчетов и научных исследованиях, где даже единичная ошибка может иметь серьезные последствия.
Высокая надежность подкрепляется продуманными инженерными решениями. Восьмиранговая организация чипов оптимизирует управление памятью, способствуя эффективной работе с большими блоками данных. При этом напряжение питания составляет всего 1,2 вольта, что свидетельствует об энергоэффективности современного производства, снижая общее тепловыделение и нагрузку на систему охлаждения. Временная задержка CAS, определяемая как 22 такта, в данном классе памяти является сбалансированным параметром, обеспечивающим оптимальное соотношение между высокой пропускной способностью и надежностью работы с коррекцией ошибок.
Этот модуль памяти — это не просто компонент, а фундамент для создания мощнейших вычислительных платформ. Он предназначен для профессионалов, которые ценят безотказность, максимальную емкость и готовые промышленные решения для задач, где обычная память уже не справляется. Инвестируя в эту технологию, вы получаете ключевой элемент для системы, которая должна работать без сбоев, обрабатывать информацию гигантских объемов и быть готовой к вызовам завтрашнего дня.
Данный модуль стандарта DDR4 DIMM предлагает беспрецедентную емкость в 256 гигабайт в одном корпусе. Это позволяет радикально упростить конфигурацию серверов и рабочих станций, достигая терабайтных объемов оперативной памяти при минимальном использовании слотов на материнской плате. Тактовая частота 3200 мегагерц обеспечивает высокоскоростной обмен данными, а результирующая пиковая пропускная способность на уровне 25600 мегабайт в секунду гарантирует, что даже самые ресурсоемкие приложения не столкнутся с задержками при обработке информации.
Ключевой особенностью данной памяти является применение передовой технологии LRDIMM, что означает буферизованные модули с пониженной нагрузкой. Это не только позволяет устанавливать больше модулей в систему без риска перегрузки контроллера памяти, но и реализует коррекцию ошибок на лету. Данная функция критически важна для обеспечения целостности данных в круглосуточно работающих дата-центрах, в системах финансовых расчетов и научных исследованиях, где даже единичная ошибка может иметь серьезные последствия.
Высокая надежность подкрепляется продуманными инженерными решениями. Восьмиранговая организация чипов оптимизирует управление памятью, способствуя эффективной работе с большими блоками данных. При этом напряжение питания составляет всего 1,2 вольта, что свидетельствует об энергоэффективности современного производства, снижая общее тепловыделение и нагрузку на систему охлаждения. Временная задержка CAS, определяемая как 22 такта, в данном классе памяти является сбалансированным параметром, обеспечивающим оптимальное соотношение между высокой пропускной способностью и надежностью работы с коррекцией ошибок.
Этот модуль памяти — это не просто компонент, а фундамент для создания мощнейших вычислительных платформ. Он предназначен для профессионалов, которые ценят безотказность, максимальную емкость и готовые промышленные решения для задач, где обычная память уже не справляется. Инвестируя в эту технологию, вы получаете ключевой элемент для системы, которая должна работать без сбоев, обрабатывать информацию гигантских объемов и быть готовой к вызовам завтрашнего дня.
Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.