Что с моим заказом?

Описание оперативной памяти 256Gb DDR4 3200MHz Hynix ECC LRDIMM (HMAT14JXSLB126N)

Оперативная память 256Gb DDR4 3200MHz Hynix ECC LRDIMM (HMAT14JXSLB126N)
Оперативная память 256Gb DDR4 3200MHz Hynix ECC LRDIMM (HMAT14JXSLB126N)

ID: 767976

Коротко о товаре
  • Объём памяти: 256 Гб
  • Стандарт памяти: DDR4 DIMM
  • Пропускная способность: 25600 Мб/с
  • CAS Latency (CL): 22
  • Коррекция ошибок и буферизация: LRDIMM
Полные характеристики
185 220 185 220 ₽
В наличии
Представляем модуль оперативной памяти, который переопределяет понятие производительности и надежности для самых требовательных вычислительных систем. Это решение создано для тех, кто работает с огромными массивами данных, сложными виртуальными средами и задачами искусственного интеллекта, где важна не просто скорость, а безупречная стабильность и колоссальный объем.

Данный модуль стандарта DDR4 DIMM предлагает беспрецедентную емкость в 256 гигабайт в одном корпусе. Это позволяет радикально упростить конфигурацию серверов и рабочих станций, достигая терабайтных объемов оперативной памяти при минимальном использовании слотов на материнской плате. Тактовая частота 3200 мегагерц обеспечивает высокоскоростной обмен данными, а результирующая пиковая пропускная способность на уровне 25600 мегабайт в секунду гарантирует, что даже самые ресурсоемкие приложения не столкнутся с задержками при обработке информации.

Ключевой особенностью данной памяти является применение передовой технологии LRDIMM, что означает буферизованные модули с пониженной нагрузкой. Это не только позволяет устанавливать больше модулей в систему без риска перегрузки контроллера памяти, но и реализует коррекцию ошибок на лету. Данная функция критически важна для обеспечения целостности данных в круглосуточно работающих дата-центрах, в системах финансовых расчетов и научных исследованиях, где даже единичная ошибка может иметь серьезные последствия.

Высокая надежность подкрепляется продуманными инженерными решениями. Восьмиранговая организация чипов оптимизирует управление памятью, способствуя эффективной работе с большими блоками данных. При этом напряжение питания составляет всего 1,2 вольта, что свидетельствует об энергоэффективности современного производства, снижая общее тепловыделение и нагрузку на систему охлаждения. Временная задержка CAS, определяемая как 22 такта, в данном классе памяти является сбалансированным параметром, обеспечивающим оптимальное соотношение между высокой пропускной способностью и надежностью работы с коррекцией ошибок.

Этот модуль памяти — это не просто компонент, а фундамент для создания мощнейших вычислительных платформ. Он предназначен для профессионалов, которые ценят безотказность, максимальную емкость и готовые промышленные решения для задач, где обычная память уже не справляется. Инвестируя в эту технологию, вы получаете ключевой элемент для системы, которая должна работать без сбоев, обрабатывать информацию гигантских объемов и быть готовой к вызовам завтрашнего дня.

Уважаемые покупатели! Пожалуйста, проверяйте описание товара на официальном сайте производителя перед покупкой. Уточняйте спецификацию, наличие на складе и цену у менеджеров интернет-магазина. Внешний вид, комплектация и характеристики могут быть изменены производителем без предварительного уведомления.